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STGH30H65DFB-2AG

Name: STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGH30H65DFB-2AG
Price: 3880 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGH30H65DFB-2AG

Fabricante N.º:

STGH30H65DFB-2AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT

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Hoja de datos:

STGH30H65DFB-2AG Hoja de datos (PDF)

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$3.880	$3.880
	$2.550	$25.500
	$1.841	$184.100
	$1.635	$817.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$1.408	$1.408.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	H2PAK-2
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.55 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	60 A
Dp - Disipación de potencia :	260 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs

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Hoja de datos

STGH30H65DFB-2AG Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.