STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
Cambiar Vista por categorías
Resultados: 14
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in
Hoja de datos
2.312En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
Hoja de datos
4.089En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
2.132En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics SCR 16 A High Temperature 800 V SCR
Hoja de datos
2.465En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

SCRs SMD/SMT DPAK
STMicroelectronics Triacs 16A 800V 150°C D²PAK Snubberless T-Series Triac
Hoja de datos
3.357En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Triacs SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
632En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Hoja de datos
2.873En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics SCR 80 A 800 V High Temperature Thyristor (SCR) in D3PAK package
Hoja de datos
168En existencias
700En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 400

SCRs SMD/SMT D3PAK
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 500 mOhm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 6.8 mOhm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 120 V, 20 A dual Power Schottky Rectifier
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)