190 A Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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5.664En existencias
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: 1.800

MOSFETs Si SMD/SMT HDSOP-16
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 190A
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6.467En existencias
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: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56-5
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 190A
Hoja de datos
1.278En existencias
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: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT LFPAK-56-5
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 0.0027 Ohma.10V, SOP Advance(N), U-MOS11-H
Hoja de datos
573En existencias
5.000En pedido
Min.: 1
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: 5.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOP-8
Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
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102En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Press Fit HybridPACK
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
Hoja de datos
1.222En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
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2.995En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PMPAK-8
Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Hoja de datos
17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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3.295En existencias
Min.: 1
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: 2.000

MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)
Hoja de datos
2.714En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOP-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
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167En existencias
3.200Se espera el 28-01-2027
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Min.: 1
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: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Módulos MOSFET ISOPLUS 100V 190A 3-PH BRIDGE
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65Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
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MOSFET Modules Si SMD/SMT ISOPLUS-DIL-17
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2.000
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: 2.000

MOSFETs GaN SMD/SMT TOLL
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1.300
Mult.: 1.300
: 1.300

MOSFETs GaN SMD/SMT TOLT
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1.300
Mult.: 1.300
: 1.300

MOSFETs GaN SMD/SMT TOLT
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

MOSFETs GaN SMD/SMT TOLL
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-252AA-2
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT DFN-5060-8
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1.800
Mult.: 1.800
: 1.800

MOSFETs Si SMD/SMT HSOG-8