JDV2S41AFS,L3M
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757-JDV2S41AFSL3M
JDV2S41AFS,L3M
Fabricante:
Descripción:
Diodos de varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications
Diodos de varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications
Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Hoja de datos:
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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-
En pedido:
-
3.236Se espera el 22-09-202610.000Se espera el 20-11-2026
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
18Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (CLP)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $1.789 | $1.789 | |
| $1.104 | $11.040 | |
| $731 | $73.100 | |
| $575 | $287.500 | |
| $491 | $491.000 | |
| $445 | $1.112.500 | |
| $395 | $1.975.000 | |
| $381 | $3.810.000 | |
| $372 | $9.300.000 |
Hoja de datos
Application Notes
- Basics of Diodes (Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics)
- Basics of Diodes (Power Losses and Thermal Design)
- Basics of Diodes (Types and Overview of Diodes)
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Precautions for using Radio-frequency semiconductor devices
Product Catalogs
Códigos de cumplimiento
- CNHTS:
- 8541590000
- CAHTS:
- 8541100090
- USHTS:
- 8541100080
- TARIC:
- 8541100000
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- Tailandia
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
