STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Corriente CC máxima de colector
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Tensión VCBO colector-base
Voltaje VEBO emisor-base
Voltaje de saturación colector-emisor
Dp - Disipación de potencia
Producto para ganar Ancho de banda fT
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Audio Amplfier
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16.476En existencias
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Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power
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8.947En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 4 A 45 V 45 V 5 V 200 mV 36 W 3 MHz + 150 C BD438 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN High Volt Power
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3.391En existencias
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Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 500 mA 450 V 5 V 1 V 40 W 20 MHz + 150 C BUX87 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Silicon Trnsistr
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2.790En existencias
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Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD135 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO
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3.616En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 3 A 30 V 60 V 5 V 1.1 V 12.5 W 100 MHz + 150 C 2SD882 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Audio Amplifier
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5.237En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 12.5 W + 150 C BD135 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Audio Amplfier
Hoja de datos
5.667En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD136 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Silicon Trnsistr
Hoja de datos
2.145En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD136 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Audio Amplfier
Hoja de datos
3.123En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 60 V 60 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD138 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Audio Amplifier
Hoja de datos
6.668En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Silicon Trnsistr
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2.849En existencias
6.000Se espera el 29-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Silicon Trnsistr
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7.397En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Silicon Trnsistr
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5.928En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN General Purpose
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1.854En existencias
4.000Se espera el 20-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 2 A 80 V 100 V 5 V 600 mV 25 W + 150 C BD237 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power
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3.913En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 4 A 45 V 45 V 5 V 200 mV 36 W 3 MHz + 150 C BD437 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power
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2.660En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 500 mA 300 V 300 V 3 V 500 mV 20.8 W + 150 C MJE340 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power
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2.372En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 500 mA 300 V 300 V 3 V 500 mV 20.8 W + 150 C MJE350 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage Fast-switching NPN
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1.344En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 400 V 9 V 1.5 V 40 W - 40 C + 150 C ST13003-K Bulk
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
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1.997En existencias
4.000Se espera el 25-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 400 V 700 V 9 V 500 mV 40 W - 65 C + 150 C ST13003 Tube