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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 91

Filtros aplicados:

Fabricante = STMicroelectronics

Polaridad del transistor

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD55025-E
STMicroelectronics
1: $33.307
45En existencias
400Se espera el 18-09-2026

N.º de artículo del Fabricante
PD55025-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

45En existencias

400Se espera el 18-09-2026

$33.307

$24.410

$22.790

$22.128

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

40 V

1 GHz

14.5 dB

25 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz

SD2932BW
STMicroelectronics
1: $229.595
35En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2932BW

N.º de artículo de Mouser
511-SD2932BW

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz

35En existencias

$229.595

$199.074

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

125 V

250 MHz

15 dB

300 W

+ 200 C

Screw Mount

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

SD2941-10W
STMicroelectronics
1: $92.791
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2941-10W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2941-10W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz

Hoja de datos

19En existencias

$92.791

$77.036

$76.205

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

130 V

175 MHz

15 dB

175 W

+ 200 C

Screw Mount

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp

SD57045
STMicroelectronics
1: $108.335
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD57045

N.º de artículo de Mouser
511-SD57045

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp

Hoja de datos

3En existencias

$108.335

$90.014

$81.538

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

65 V

1 GHz

13 dB

45 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

M243

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz

SD2933W
STMicroelectronics
1: $136.909
1.025En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SD2933W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2933W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz

Hoja de datos

1.025En pedido

$136.909

$114.308

Min.: 1
Mult.: 1

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST

PD54008TR-E
STMicroelectronics
600: $10.548
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD54008TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

$10.548

$9.854

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

11.5 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55003S-E
STMicroelectronics
1: $11.937
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD55003S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

$11.937

$8.308

$7.656

$7.551

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55015STR-E
STMicroelectronics
600: $11.011
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD55015STR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015STR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

$11.011

Presupuesto

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel

PD55025TR-E
STMicroelectronics
600: $23.116
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD55025TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55025TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

$23.116

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

N-Channel

7 A

12.5 V

500 MHz

14.5 dB

25 W

+ 165 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-2

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD57018STR-E
STMicroelectronics
600: $23.863
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57018STR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57018STR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

$23.863

Presupuesto

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

N-Channel

2.5 A

65 V

760 mOhms

1 GHz

16.5 dB

18 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD57018TR-E
STMicroelectronics
600: $23.968
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57018TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57018TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

$23.968

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

N-Channel

2.5 A

65 V

760 mOhms

1 GHz

16.5 dB

18 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD57030S-E
STMicroelectronics
400: $35.337
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57030S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57030S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

$35.337

Ver

Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel

4 A

65 V

1 GHz

14 dB

30 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD57045-E
STMicroelectronics
400: $45.454
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57045-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57045-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

$45.454

Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel

5 A

65 V

1 GHz

13 dB

45 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060S-E
STMicroelectronics
400: $49.787
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57060S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57060S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

$49.787

Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel

7 A

65 V

1 GHz

14.3 dB

60 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060TR-E
STMicroelectronics
600: $49.093
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD57060TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57060TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

$49.093

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

N-Channel

7 A

65 V

1 GHz

14.3 dB

60 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

PD85035S-E
STMicroelectronics
400: $22.138
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD85035S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD85035S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

$22.138

Presupuesto

Min.: 400
Mult.: 400

N-Channel

8 A

40 V

1 GHz

14.9 dB

35 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

PD85035STR-E
STMicroelectronics
600: $24.021
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PD85035STR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD85035STR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

Envase tipo carrete

$24.021

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

N-Channel

8 A

40 V

1 GHz

14.9 dB

35 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L15200CB4
STMicroelectronics
100: $163.843
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L15200CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L15200CB4

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

$163.843

Min.: 100
Mult.: 100

: 100

Dual N-Channel

65 V

1 Ohms

860 MHz

17.5 dB

200 W

+ 200 C

SMD/SMT

LBB-5

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L16180CF2
STMicroelectronics
120: $127.433
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L16180CF2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CF2

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

$127.433

Min.: 120
Mult.: 120

: 120

N-Channel

65 V

1 Ohms

1.47 GHz

17.5 dB

180 W

+ 200 C

SMD/SMT

B2-3

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L27015CG2
STMicroelectronics
300: $36.410
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L27015CG2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L27015CG2

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

$36.410

Min.: 300
Mult.: 300

: 300

N-Channel

60 V

1 Ohms

2.7 GHz

19 dB

15 W

+ 200 C

SMD/SMT

E2-3

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L27025CG2
STMicroelectronics
300: $39.196
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L27025CG2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L27025CG2

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

$39.196

Min.: 300
Mult.: 300

: 300

N-Channel

65 V

1 Ohms

2.7 GHz

18 dB

25 W

+ 200 C

SMD/SMT

E2-3

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor

RF2L36040CF2
STMicroelectronics
160: $63.711
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF2L36040CF2

N.º de artículo de Mouser
511-RF2L36040CF2

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

$63.711

Min.: 160
Mult.: 160

: 160

N-Channel

60 V

1 Ohms

3.6 GHz

14 dB

40 W

+ 200 C

SMD/SMT

A2-3

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF3L05150CB4
STMicroelectronics
1: $206.647
Plazo de entrega 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RF3L05150CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF3L05150CB4

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 52 Semanas

Cinta cortada

$206.647

$163.843

Envase tipo carrete

$163.843

Min.: 1
Mult.: 1

: 100