AFM906NT1

NXP Semiconductors
841-AFM906NT1
AFM906NT1

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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$-
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$4.155 $4.155
$3.125 $31.250
$2.867 $71.675
$2.587 $258.700
$2.565 $641.250
$2.475 $1.237.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
$2.050 $2.050.000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
NXP
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
N-Channel
Si
4.7 A
30 V
136 MHz to 941 MHz
16.2 dB
6.5 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
HVSON-16
Reel
Cut Tape
Marca: NXP Semiconductors
Sensibles a la humedad: Yes
Número de canales: 4 Channel
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Serie: AFM906N
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: MOSFETs
Tipo: RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: + 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.15 V
Alias de las piezas n.º: 935316322515
Peso de la unidad: 0,001 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8542330001
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99