Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)

Resultados: 24
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
Skyworks Solutions, Inc. Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz
Hoja de datos
30.314En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

pHEMT GaAs N-Channel - 40 C + 85 C SMD/SMT SC-70-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.18 mm Pwr pHEMT 200En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

pHEMT GaAs 14 dB SMD/SMT 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.60 mm Pwr pHEMT 100En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.25 mm Pwr pHEMT 100En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

pHEMT Reel
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Hoja de datos
90En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
Hoja de datos
11.531En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Hoja de datos
2.803En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

pHEMT Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Hoja de datos
12.597En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 15.000

Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
Hoja de datos
6.934En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

pHEMT GaAs 24 GHz 13.8 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
Hoja de datos
809En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
Hoja de datos
64En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
Hoja de datos
1.907En existencias
15.000Se espera el 28-04-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 15.000

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL CE3520K3
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
Hoja de datos
195En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

pHEMT GaAs Bulk
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.40 mm Pwr pHEMT Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

pHEMT GaAs 13 dB 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.80mm Pwr pHEMT Plazo de entrega 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.20mm Pwr pHEMT Plazo de entrega 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

pHEMT Tray
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.60mm Pwr pHEMT Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

pHEMT Reel
MACOM CGHV1J070D-GP5
MACOM Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DIE, 70W, 18.0GHz, GaN HEMT, GP5, 510438
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 250
Mult.: 50

MACOM NPT2010
MACOM Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 48V 100W DC-2.2GHz HEMT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

HEMT Si
MACOM GTRB267008FC-V1-R0
MACOM Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50
Reel
MACOM GTRB267008FC-V1-R2
MACOM Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250
Reel
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 15.000
Mult.: 15.000
Carrete: 15.000

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel
CEL CE7530K2-C1
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) No en existencias
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Carrete: 10.000

Reel
CEL CE7531K3-C1
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) No en existencias
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Carrete: 10.000

Reel