CEL Transistores de radiofrecuencia

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Ganancia
Empaquetado
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
Hoja de datos
9.727En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 13.7 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Hoja de datos
2.729En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT Si 12 GHz - 55 C + 125 C 14.1 dB Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Hoja de datos
12.312En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 15.000

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 Si 12 GHz - 55 C + 125 C 14.1 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
Hoja de datos
843En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 13.7 dB Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
Hoja de datos
248En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 12.2 dB Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
Hoja de datos
330En existencias
10.000Se espera el 29-05-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 24 GHz - 55 C + 125 C 13.8 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL CE3520K3
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors pHEMT GaAs Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
Hoja de datos
14.950Se espera el 06-07-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 15.000

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 12.2 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Hoja de datos
Plazo de entrega 2 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 20 GHz - 55 C + 125 C 11.9 dB Bulk
CEL Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) For NESG270034-AZ
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors SMD/SMT Bipolar SiGe
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 15.000
Mult.: 15.000
: 15.000

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 20 GHz - 55 C + 125 C 11.9 dB Reel
CEL NE5550979A-EV04-A
CEL Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
Hoja de datos
N/A
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
CEL CE7530K2-C1
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) No en existencias
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
: 10.000

RF JFET Transistors Reel
CEL CE7531K3-C1
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) No en existencias
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
: 10.000

RF JFET Transistors Reel