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BFR 460L3 E6327

Name: Infineon BFR 460L3 E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFR460L3E6327
Price: 582 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BFR460L3E6327

Fabricante N.º:

BFR 460L3 E6327

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA

Hoja de datos:

BFR 460L3 E6327 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 15000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$582	$582
	$370	$3.700
	$297	$29.700
	$283	$141.500
	$272	$272.000
	$261	$652.500
	$254	$1.270.000
	$242	$2.420.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 15000)
	$234	$3.510.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Serie:	BFR460L3
Tipo de transistor:	Bipolar
Tecnología:	Si
Polaridad del transistor:	NPN
Frecuencia de trabajo:	22 GHz
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	4.5 V
Voltaje VEBO emisor-base:	1.5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 65 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Configuración:	Single
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSLP
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Corriente CC máxima de colector:	50 mA
Dp - Disipación de potencia :	200 mW
Tipo de producto:	RF Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	15000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	SP000014238 BFR46L3E6327XT BFR460L3E6327XTMA1
Peso de la unidad:	0,540 mg

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.