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Ampleon RF e inalámbricos

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B10G2022N10DLX
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B10G2324N10DLX
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B10G2324N10DLZ
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B10G2327N55DZ
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B10G3336N16DLX
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B10G4750N12DLZ
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B10G4750N12DLZ

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$16.656

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B10H0608N40DX
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B10H0608N40DX

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B10H0608N40DYZ
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B10H0608N40DYZ

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B10H0710N40DX
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$58.046

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B11G1822N60DX
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B11G1822N60DX

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$51.890

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B11G1822N60DYZ
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300: $51.226
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B11G1822N60DYZ

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B11G2327N71DX
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B11G2327N71DX

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$53.404

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B11G3338N81DX
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B11G3338N81DX

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94-B11G3338N81DX

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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP

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$56.205

Min.: 1.500
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B11G3338N81DYZ
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300: $55.490
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B11G3338N81DYZ

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94-B11G3338N81DYZ

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