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LMG3522R030RQSR

Name: Texas Instruments LMG3522R030RQSR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3522R030RQSR
Price: 13008 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

595-LMG3522R030RQSR

Fabricante N.º:

LMG3522R030RQSR

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Controladores de puertas 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv

Hoja de datos:

LMG3522R030RQSR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores de puertas
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
Producto:	Driver ICs - Various
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VQFN-52
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Voltaje de alimentación - Mín.:	7.5 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	18 V
Configuración:	Non-Inverting
Tiempo de subida:	4.3 ns
Tiempo de caída:	22 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG3522R030
Empaquetado:	Reel
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Características:	Robust Protection
Tiempo de retardo de apagado máximo:	69 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	54 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	15.5 mA
Voltaje de salida:	5 V
Tipo de producto:	Gate Drivers
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	26 mOhms
Apagado:	Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si

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Hoja de datos

LMG3522R030RQSR Hoja de datos

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: 3A001.A.2.A

LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FETs

Texas Instruments LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FETs include an integrated driver and protection for switch-mode power converters. The LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 integrates a silicon driver that allows switching speeds up to 150V/ns. The device implements TI’s integrated precision gate bias, resulting in higher switching SOA than discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, supplies clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. An adjustable gate drive strength permits control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to control EMI and optimize switching performance actively.