R1RW0416DGE-2PR#B1

Name: Renesas Electronics R1RW0416DGE-2PR#B1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RW0416DGE2PRB1
Price: 13115 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

968-R1RW0416DGE2PRB1

Fabricante N.º:

R1RW0416DGE-2PR#B1

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

Tamaño de memoria RAM (SRAM) Tamaño de memoria RAM (SRAM) 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

R1RW0416DGE-2PR#B1 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Organización:	256 k x 16
Tiempo de acceso:	12 ns
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Corriente de suministro - Máx.:	130 mA
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOJ-44
Empaquetado:	Tray
Marca:	Renesas Electronics
Tipo de memoria:	SRAM
Tipo de producto:	SRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	18
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Tipo:	High Speed

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EOL

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USHTS:: 8542320041
TARIC:: 8542324500
ECCN:: EAR99

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.