R1RP0408DGE-2PI#B1

Name: Renesas Electronics R1RP0408DGE-2PI#B1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RP0408DGE2PIB1
Price: 13530 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

968-R1RP0408DGE2PIB1

Fabricante N.º:

R1RP0408DGE-2PI#B1

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

Tamaño de memoria RAM (SRAM) Tamaño de memoria RAM (SRAM) 4MB FAST X8 5V SOJ 12NS -40TO85C

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Organización:	512 k x 8
Tiempo de acceso:	12 ns
Voltaje de alimentación - Máx.:	5.5 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	4.5 V
Corriente de suministro - Máx.:	130 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOJ-36
Empaquetado:	Tray
Marca:	Renesas Electronics
Tipo de memoria:	SRAM
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	22
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
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Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.