Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000
TSOP-54 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000
FBGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
Carrete: 1.500
TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000
TSOP-54 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000
FBGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
Carrete: 1.500
TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000
TSOP-54 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000
SOIC-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3004101 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche SPI P-SRAM 4Mb in SOIC8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.200
Mult.: 300

SOIC-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3004101 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3004101 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche SPI P-SRAM 4Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.365
Mult.: 455

WSON-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3004101 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000
SOIC-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 105 C AS3004101 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche SPI P-SRAM 4Mb in SOIC8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.200
Mult.: 300

SOIC-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 105 C AS3004101 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 105 C AS3004101 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche SPI P-SRAM 4Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.365
Mult.: 455

WSON-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 105 C AS3004101 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000
SOIC-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000
SOIC-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000
SOIC-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3004204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3004204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000
SOIC-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Reel