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S80KS5123GABHM020

Name: Infineon S80KS5123GABHM020
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-S5123GABHM020
Price: 15050 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

727-S5123GABHM020

Fabricante N.º:

S80KS5123GABHM020

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

DRAM SPCM

Hoja de datos:

S80KS5123GABHM020 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$14.019	$140.190
	$13.672	$683.600
	$13.335	$1.333.500
	$12.768	$3.192.000
	$12.683	$6.341.500
	$12.536	$8.474.336
2.704	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Paquete / Cubierta:	FBGA-24
Serie:	S80KS5123
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Calificación:	AEC-Q100
Cantidad de empaque de fábrica:	676
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	HYPERRAM

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Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320028
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2

Clasificaciones de origen

País de origen:: Tailandia
País de origen del ensamblaje:: Tailandia
País de difusión:: Taiwán

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory

Infineon Technologies S80KS5122 and S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory is a high-speed, low-pin-count, low-power self-refresh Dynamic RAM (DRAM) for high-performance embedded systems requiring expansion memory for scratchpad or buffering purposes. HYPERRAM products support JEDEC JESD251 profile compliant HYPERBUS™ and Octal xSPI interfaces that draw upon the legacy features of both parallel and serial interface memories while enhancing system performance and ease of design as reducing system cost. The low-pin count architecture makes HYPERRAM especially suitable for power and board space-constrained applications requiring off-chip external RAM.