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SST25PF040CT-40V/NP

Name: Microchip SST25PF040CT-40V/NP
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-ST25PF040CT40VNP
Price: 1770 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

579-ST25PF040CT40VNP

Fabricante N.º:

SST25PF040CT-40V/NP

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Memoria flash tipo NOR 2.3V TO 3.6V 4Mb SPI FLASH

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Hoja de datos:

SST25PF040CT-40V/NP Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.770	$1.770
	$1.691	$42.275
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$1.691	$5.073.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Memoria flash tipo NOR
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	USON-8
Serie:	SST25PF
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de lectura activa - máx.:	12 mA
Tipo de interfaz:	SPI
Frecuencia de reloj máxima:	40 MHz
Organización:	512 k x 8
Ancho de bus de datos:	8 bit
Tipo de tiempo:	Synchronous
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 105 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Microchip Technology
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	NOR Flash
Velocidad:	40 MHz
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
TARIC:: 8542326100
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

SST25PF040C 4Mbit 2.3-3.6V SPI Serial Flash

Microchip Technology SST25PF040C 4Mbit 2.3-3.6V SPI Serial Flash features a four-wire, SPI-compatible interface. This allows a low pin-count package with less board space to lower system costs. The SST25PF040C devices are enhanced with an extended operating voltage of 2.3V to 3.6V. These devices are manufactured with proprietary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability than alternate approaches.