N-Channel Semiconductores

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ138EP-T1_JE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
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SQRS160EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC008N06LM6ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.

ISCH57N04NM7VSCATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

STWA60N028T
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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7

IAUCN08S7N036TATMA1
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IAUCN08S7N036TATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7

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IMZA75R040M2HXKSA1
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC024N08NM7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ858AEP-T1_NE3
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SQJ858AEP-T1_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQM40022EM_NE3
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SQM40022EM_NE3

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78-SQM40022EM_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg

RBA40N10EANS-5UA11#HB0
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RBA40N10EANS-5UA11#HB0

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968-40N10EANS5UA11HB

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg

RBE111N10R1SZN2#HB0
Renesas Electronics
1: $1.677
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RBE111N10R1SZN2#HB0

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968-E111N10R1SZN2HB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg

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MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2

AIMDQ75R020M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $16.993
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AIMDQ75R020M2HXTMA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2

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MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK

AIMDQ75R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $10.429
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750Se espera el 12-06-2026
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AIMDQ75R040M2HXTMA1

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726-AIMDQ75R040M2HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK

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750Se espera el 12-06-2026

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: 750

MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m

IMBG75R011M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $23.977
35En existencias
Nuevo producto

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IMBG75R011M2HXTMA1

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726-IMBG75R011M2HXTM

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MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m

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: 1.000

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMBG75R025M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $13.180
128En existencias
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IMBG75R025M2HXTMA1

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726-IMBG75R025M2HXTM

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

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128En existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

IPLT60R070CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: $5.501
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N.º de artículo del Fabricante
IPLT60R070CM8XTMA1

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726-IPLT60R070CM8XTM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

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697En existencias

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: 1.800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL

IPT009N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.125
231En existencias
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IPT009N10NM8ATMA1

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726-IPT009N10NM8ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL

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$2.157

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: 2.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package

ISC033N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.078
228En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
ISC033N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC033N10NM8ATMA

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package

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228En existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

IXTX400N20X4
IXYS
1: $32.934
33En existencias
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IXTX400N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX400N20X4

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247