Rectificadores y diodos Schottky Surface Mount Low VF Schottky Barrier Rectifier 60V 30A
SBM3060VDC-AU_R2_006A1
Panjit
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Panjit
Rectificadores y diodos Schottky Surface Mount Low VF Schottky Barrier Rectifier 60V 30A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
IPB120N10S405ATMA1
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N.º de artículo de Mouser 726-IPB120N10S405ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL IN
NVTFS010N10MCLTAG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL IN
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
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ZXMS6005DN8Q-13
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD30N06S2L23ATMA3
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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Rectificadores y diodos Schottky PMEG060V100EPE-Q/SOT1289B/CFP1
PMEG060V100EPE-QZ
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Rectificadores y diodos Schottky PMEG060V100EPE-Q/SOT1289B/CFP1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
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SSM6J808R,LF
Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
STP45N40DM2AG
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1470AEH-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1912AEEH-T1_GE3
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3427EV-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
SQ3989EV-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ4153EY-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified
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SQ4920EY-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
SQJ401EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJ401EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
30.060 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 78-SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
26.353 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1:
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N.º de artículo de Mouser 78-SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
107.153 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky 40 Volt 3.0 Amp 75 AMP IFSM
SSA34HE3_A/I
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 78-SSA34HE3_A/I
Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 40 Volt 3.0 Amp 75 AMP IFSM
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7.500
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified
SQJ465EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 781-SQJ465EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified
20.679 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky 4.0A 60V SCHOTTKY DIODE
NRVB460MFST1G
onsemi
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85.662 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NRVB460MFST1G
onsemi
Rectificadores y diodos Schottky 4.0A 60V SCHOTTKY DIODE
85.662 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO
NVGS5120PT1G
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184.729 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NVGS5120PT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET TSOP6 60V 2.5A 111MO
184.729 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms
NVMFS5C612NWFT1G
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6.837 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS5C612NWFT1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms
6.837 En existencias
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Carrete :1.500
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Chile
