RJK0355DSP-00#J0

Name: Renesas Electronics RJK0355DSP-00#J0
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-RJK0355DSP-00#J0
Price: 2050 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

968-RJK0355DSP-00#J0

Fabricante N.º:

RJK0355DSP-00#J0

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 30V 12A 11.1mohm SOP-8

Hoja de datos:

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	$1.344	$13.440
	$902	$90.200
	$715	$357.500
	$661	$661.000
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	$539	$1.347.500

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Qg - Carga de puerta:	6 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.8 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Renesas Electronics
Tiempo de caída:	4.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	40.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.9 ns
Peso de la unidad:	83 mg