B82804E0164A200

EPCOS / TDK
871-B82804E0164A200
B82804E0164A200

Fabricante:

Descripción:
Transformadores de energía Half Bridge, Turns Ratio 1 : 28 : 1.53, EP9 IGBT Gate Drive Transformer

Ciclo de vida:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Cantidad Precio unitario
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$5.667 $5.667
$4.536 $45.360
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
$3.853 $963.250
$3.797 $1.898.500
$3.752 $3.752.000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
TDK
Categoría de producto: Transformadores de energía
RoHS:  
Power Transformers
SMD/SMT
Single Primary Winding
Dual Secondary Winding
11.45 mm
10.7 mm
10.55 mm
EP9
Marca: EPCOS / TDK
Inductancia: 260 uH
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Temperatura de trabajo mínima: - 40 C
Frecuencia de trabajo: 100 kHz to 400 kHz
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: Power Transformers
Cantidad de empaque de fábrica: 250
Subcategoría: Transformers
Estilo de terminación: SMD/SMT
Relación de transformación: 1:2.8:1.53
Tipo: Half Bridge
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Atributos seleccionados: 0

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USHTS:
8504312000
JPHTS:
850431000
ECCN:
EAR99

Transformadores de control de puertas IGBT EP9

EPCOS/TDK EP9 IGBT Gate Drive Transformers are compact devices built on an MnZn ferrite core with an SMD L-pin construction.These transformers offer excellent insulation, minimal coupling capacitance, and high thermal resilience. The EP9 IGBT gate drive transformers support half-bridge or push-pull topologies. These transformers feature a 2pF low coupling capacity and ≥5mm clearance distance (cumulative and core floating). The EP9 IGBT gate drive transformers operate within the 100kHz to 400kHz frequency range and -40°C to 150°C temperature range.  These transformers are RoHS compliant and AEC-Q200 qualified. The EP9 IGBT gate drive transformers are designed specifically for IGBT and FET gate driver circuits. Typical applications include isolated DC-DC converters, isolated AC-DC converters, and gate driver circuits.