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MHT2012NT1

Name: NXP MHT2012NT1
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-MHT2012NT1
Price: 26213 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-MHT2012NT1

Fabricante N.º:

MHT2012NT1

Fabricante:

NXP Semiconductors

Descripción:

Amplificador de RF RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 2450 MHz, 12.5 W CW, 28 V

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

MHT2012NT1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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En existencias: 975

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$26.213	$26.213
	$20.984	$209.840
	$19.675	$491.875
	$18.237	$1.823.700
	$17.557	$4.389.250
	$17.164	$8.582.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$17.154	$17.154.000
2.000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	2.4 GHz to 2.5 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	28 V
Corriente de suministro operativa:	75 mA
Ganancia:	29.7 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PQFN-24
Tecnología:	Si
P1dB: punto de compresión:	42.3 dBm
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	43 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	MHT2012N
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	NXP Semiconductors
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	2 Channel
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	2.45 GHz
Alias de las piezas n.º:	935361937528

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PCN

Declaration of Compliance - RoHS Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

RF-IF Solutions

NXP Semiconductors RF-IF Solutions meet the needs of the most demanding RF applications by allowing designers to meet the highest specifications for performance while still retaining potential trade-offs with respect to efficiency, power, ruggedness, consistency, and integration levels. The NXP RF-IF portfolio covers the majority of communication and transmission systems, making it easy to find a solution that matches a designer's particular requirements. NXP RF-IF solutions include the SA6xx Series RF/IF building blocks that are ideal for a variety of niche handheld RF products. Available in small-footprint packages, SA6xx solutions save PCB space while providing better RF performance.