Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

MHT2012NT1

Name: NXP MHT2012NT1
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-MHT2012NT1
Price: 27218 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

771-MHT2012NT1

Fabricante N.º:

MHT2012NT1

Fabricante:

NXP Semiconductors

Descripción:

Amplificador de RF RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 2450 MHz, 12.5 W CW, 28 V

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

MHT2012NT1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 661

Existencias:: 661 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 53 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$27.218	$27.218
	$21.789	$217.890
	$20.429	$510.725
	$18.936	$1.893.600
	$18.231	$4.557.750
	$17.801	$8.900.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$17.004	$17.004.000
2.000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	2.4 GHz to 2.5 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	28 V
Corriente de suministro operativa:	75 mA
Ganancia:	29.7 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PQFN-24
Tecnología:	Si
P1dB: punto de compresión:	42.3 dBm
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	43 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	MHT2012N
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	NXP Semiconductors
País de ensamblaje:	KR
País de difusión:	US
País de origen:	US
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	2 Channel
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	2.45 GHz
Alias de las piezas n.º:	935361937528

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MHT2012NT1 Hoja de datos (PDF)

PCN

Declaration of Compliance - RoHS Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

RF-IF Solutions

NXP Semiconductors RF-IF Solutions meet the needs of the most demanding RF applications by allowing designers to meet the highest specifications for performance while still retaining potential trade-offs with respect to efficiency, power, ruggedness, consistency, and integration levels. The NXP RF-IF portfolio covers the majority of communication and transmission systems, making it easy to find a solution that matches a designer's particular requirements. NXP RF-IF solutions include the SA6xx Series RF/IF building blocks that are ideal for a variety of niche handheld RF products. Available in small-footprint packages, SA6xx solutions save PCB space while providing better RF performance.