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IMZA120R020M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA120R020M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA120R020M1HXK
Price: 19655 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-IMZA120R020M1HXK

Fabricante N.º:

IMZA120R020M1HXKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Hoja de datos:

IMZA120R020M1HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	98 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	19 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.2 V
Qg - Carga de puerta:	83 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Infineon Technologies
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Alias de las piezas n.º:	IMZA120R020M1H SP005448293

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.