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LMG2100R026VBNR

Name: Texas Instruments LMG2100R026VBNR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG2100R026VBNR
Price: 12496 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-LMG2100R026VBNR

Fabricante N.º:

LMG2100R026VBNR

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Controladores de puertas 100V 2.6m? half-brid ge gallium nitride

Ciclo de vida:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$12.496	$12.496
	$9.995	$99.950
	$9.690	$242.250
	$8.409	$840.900
	$8.035	$2.008.750
	$7.326	$3.663.000
	$7.307	$7.307.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$6.066	$15.165.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VQFN-16
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	8 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	4.75 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	5.25 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG2100R026
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Características:	Low Power Consumption
Voltaje de entrada - Máx.:	5.25 V
Voltaje de entrada - Mín.:	4.75 V
Sensibles a la humedad:	Yes
Voltaje de salida:	12 V
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	55 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.5 mOhms
Apagado:	No Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Etapa de potencia de medio puente GaN LMG2100R026

Texas Instruments LMG2100R026 GaN Half-Bridge Power Stage integrates gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The 93V continuous, 100V pulsed, 53A half-bridge power stage includes two GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration. The driver and the two GaN FETs are mounted on a fully bond-wire-free package platform with minimized package parasitic elements.