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STL160N10F8

Name: STMicroelectronics STL160N10F8
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL160N10F8
Price: 3651 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STL160N10F8

Fabricante N.º:

STL160N10F8

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET

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	$2.027	$202.700
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$1.714	$5.142.000
	$1.691	$10.146.000
24.000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	158 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	90 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	167 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	19 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	17 ns
Serie:	STripFET F8
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	60 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	22 ns

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AUTOMOTIVE STripFET F8 DEVICES: For high-power-density solutions (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and offer a comprehensive package solution from 30V to 150V to meet all the requirements for very high-power-density solutions. These low-voltage MOSFETs feature STPOWER STripFET F8 technology. STripFET F8 technology saves energy and ensures low noise in power conversion, motor control, and power distribution circuits by cutting both on-resistance and switching losses while optimizing body-diode properties. The STMicroelectronics STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs simplify system designs and increase efficiency in applications such as automotive, computer / peripherals, data centers, telecom, solar, power supplies / converters, battery chargers, home / professional appliances, gaming, drones, and more.