SCTWA70N120G2V-4
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511-SCTWA70N120G2V-4
SCTWA70N120G2V-4
Fabricante:
Descripción:
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos:
En existencias: 28
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
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Las cantidades superiores a 28 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Precio (CLP)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $33.051 | $33.051 | |
| $23.688 | $236.880 | |
| $23.184 | $2.318.400 | |
| 600 | Presupuesto |
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- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
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- ECCN:
- EAR99
