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GCMX016C120S1-E1

Name: SemiQ GCMX016C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX016C120S1-E1
Price: 27852 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

148-GCMX016C120S1-E1

Fabricante N.º:

GCMX016C120S1-E1

Fabricante:

SemiQ

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	103 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	23 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	303 W
Serie:	GCMX
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	20 ns
Altura:	12.19 mm
Longitud:	38.1 mm
Producto:	Power Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	23 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	MOSFET Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	64 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19 ns
Vf - Tensión directa:	3.8 V
Ancho:	25.3 mm