Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

GCMS008C120S1-E1

Name: SemiQ GCMS008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS008C120S1-E1
Price: 46042 CLP
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

148-GCMS008C120S1-E1

Fabricante N.º:

GCMS008C120S1-E1

Fabricante:

SemiQ

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 8 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	189 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	12 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	536 W
Serie:	GCMS
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	34 ns
Altura:	12.19 mm
If - Corriente directa:	176 A
Longitud:	38.1 mm
Producto:	Power Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	35 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	SiC MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	91 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	37 ns
Vf - Tensión directa:	2.03 V
Ancho:	25.3 mm