Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
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841-AFT09MS031NR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
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GaN FETs 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
MMRF5014HR5
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841-MMRF5014HR5
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GaN FETs 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
MRFE6S9060NR1
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841-MRFE6S9060NR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
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$77.933
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$71.440
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
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ARF463AG
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494-ARF463AG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
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SD2932BW
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511-SD2932BW
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
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SD2941-10W
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511-SD2941-10W
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
SD4933MR
STMicroelectronics
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511-SD4933MR
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
MRF134
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MRF134
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937-MRF134
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
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$101.705
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
MRF160
MACOM
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MRF160
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937-MRF160
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
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$114.139
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
UF28100V
MACOM
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937-UF28100V
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
MWT-PH31F
CML Micro
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938-MWT-PH31F
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
MWT-PH32F
CML Micro
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938-MWT-PH32F
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
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MWT-PH33F
CML Micro
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938-MWT-PH33F
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
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$17.719
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$17.689
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC
BLM7G1822S-40PBGY
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94-BLM7G1822S-40PBGY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC
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$45.786
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$39.600
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA030121EA-V1-R0
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NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA030121EA1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
41 En existencias
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTVA120251EA-V2-R0
MACOM
1:
$54.457
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NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120251EA2R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
7 En existencias
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
NXP Semiconductors AFT27S006NT1
AFT27S006NT1
NXP Semiconductors
1:
$19.161
248 En existencias
1.000 Se espera el 24-06-2026
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N.º de artículo de Mouser
841-AFT27S006NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
248 En existencias
1.000 Se espera el 24-06-2026
1
$19.161
10
$15.266
25
$14.294
100
$13.844
500
Ver
1.000
$13.241
500
$13.793
1.000
$13.241
2.000
Presupuesto
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1.000
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V
MRFX035HR5
NXP Semiconductors
1:
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7 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX035HR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V
7 En existencias
1
$138.381
10
$107.769
50
$107.769
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50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
AFM906NT1
NXP Semiconductors
1:
$4.581
147 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
147 En existencias
1
$4.581
10
$3.405
25
$2.986
50
$2.812
100
Ver
1.000
$2.096
100
$2.658
250
$2.341
500
$2.198
1.000
$2.096
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1.000
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1:
$63.536
8 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
8 En existencias
1
$63.536
10
$44.140
500
$44.130
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500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5
MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors
1:
$181.519
1 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V10010NR4
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5
1 En existencias
1
$181.519
10
$153.974
20
$146.745
50
$144.792
100
$135.672
200
Ver
200
Presupuesto
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100
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
onsemi NVJD5121NT1G-M06
NVJD5121NT1G-M06
onsemi
1:
$450
16.597 En existencias
N.º de artículo de Mouser
863-NVJD5121NT1G-M06
onsemi
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
16.597 En existencias
1
$450
10
$275
100
$174
500
$130
1.000
$116
3.000
$90
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Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PTFC270101M-V1-R1K
MACOM
1:
$29.682
1 En existencias
Pedido especial de fábrica
N.º de artículo de Mouser
941-PTFC270101M1RK
Pedido especial de fábrica
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
1 En existencias
1
$29.682
10
Ver
1.000
$25.347
10
$25.398
100
$25.347
1.000
$25.347
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
MRF173
MACOM
1:
$154.506
150 Se espera el 04-12-2026
N.º de artículo del Fabricante
MRF173
N.º de artículo de Mouser
937-MRF173
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
150 Se espera el 04-12-2026
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Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
VRF151
Microchip Technology
1:
$71.706
79 Se espera el 21-07-2026
N.º de artículo del Fabricante
VRF151
N.º de artículo de Mouser
494-VRF151
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
79 Se espera el 21-07-2026
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Mult.: 1
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