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2.1 V Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE

NTTFS5D6N08XLTAG
onsemi
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NTTFS5D6N08XLTAG

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863-NTTFS5D6N08XLTAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 350mW

2N7002 TR TIN/LEAD
Central Semiconductor
1: $421
20.697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2N7002 TR TIN/LEAD

N.º de artículo de Mouser
610-2N7002TR-TIN

Central Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 350mW

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$421

$285

$181

$114

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA17N80C3XK
Infineon Technologies
1: $6.268
412En existencias
NRND

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SPA17N80C3XK

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726-SPA17N80C3XK

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3

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$6.268

$4.102

$3.060

$2.566

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F

SSM6K388R,LF
Toshiba
1: $705
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SSM6K388R,LF

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757-SSM6K388RLF

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F

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$705

$488

$309

$191

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$122

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B

SSM6K389R,LF
Toshiba
1: $610
2.400En existencias
Nuevo producto

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SSM6K389R,LF

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757-SSM6K389RLF

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B

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$610

$421

$267

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

NVTFS4C13NETAG
onsemi
1: $1.010
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NVTFS4C13NETAG

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863-NVTFS4C13NETAG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

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GaN FETs GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA

GAN7R0-150LBEZ
Nexperia
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GAN7R0-150LBEZ

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771-GAN7R0-150LBEZ

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GaN FETs GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

BSO220N03MDGXUMA1
Infineon Technologies
1: $1.462
55.985En existencias
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BSO220N03MDGXUMA1

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726-BSO220N03MDGXUMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

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$594

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH

NVMFS4C306NET1G
onsemi
1: $1.504
1.490En existencias
Nuevo producto

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NVMFS4C306NET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS4C306NET1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPB012N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $3.776
1.331En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB012N04NF2SATMA1

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726-IPB012N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPF009N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $4.238
1.101En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF009N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF009N04NF2SATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPF016N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $5.942
5.961En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF016N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF016N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPTC012N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.733
2.514En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC012N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC012N06NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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$3.124

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GaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7

GANE3R9-150QBAZ
Nexperia
1: $10.117
2.085En existencias

N.º de artículo del Fabricante
GANE3R9-150QBAZ

N.º de artículo de Mouser
771-GANE3R9-150QBAZ

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GaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7

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$6.931

$5.153

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$4.659

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: 2.500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN6R1-40HL/SOT1205/LFPAK56D

PSMN6R1-40HLX
Nexperia
1: $2.314
14.464En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN6R1-40HLX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN6R1-40HLX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN6R1-40HL/SOT1205/LFPAK56D

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$997

$801

$718

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$718

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB11N60C3
Infineon Technologies
1: $4.575
1.021En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB11N60C3

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726-SPB11N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

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$4.575

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$2.272

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$1.830

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.890
988En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP20N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP20N60C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

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$4.890

$2.514

$2.282

$1.872

$1.840

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N60C3
Infineon Technologies
1: $14.408
2.718En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW47N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

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$14.408

$8.708

$7.751

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3406_R1_00001
Panjit
1: $316
236.782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3406_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3406_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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$316

$195

$122

$89,4

$79,9

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$65,2

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: 3.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC012N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: $5.658
10.002En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC012N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC012N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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$5.658

$3.765

$2.682

$2.377

$2.219

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$2.219

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: 5.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: $2.440
20.378En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC028N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC028N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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$2.440

$1.567

$1.062

$986

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Presupuesto

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: 5.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT007N06NATMA1
Infineon Technologies
1: $7.141
17.550En existencias
19.500Se espera el 24-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT007N06NATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT007N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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17.550En existencias

19.500Se espera el 24-08-2026

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$4.712

$3.565

$3.534

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$3.534

Presupuesto

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: 2.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TPWR6003PL,L1Q
Toshiba
1: $4.880
17.784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPWR6003PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR6003PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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$4.880

$3.229

$2.282

$1.956

$1.883

Envase tipo carrete

$1.819

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 300A, Single, N-Channel Low Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TSM013NM04LTL RAG
Taiwan Semiconductor
1: $3.081
2.000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TSM013NM04LTL RAG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM013NM04LTLRAG

Nuevo producto

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 300A, Single, N-Channel Low Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Hoja de datos

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$3.081

$1.998

$1.378

$1.104

Envase tipo carrete

$1.083

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V

DMP3098LQ-7
Diodes Incorporated
1: $747
34.648En existencias
51.000Se espera el 23-11-2026

N.º de artículo del Fabricante
DMP3098LQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3098LQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V

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34.648En existencias

51.000Se espera el 23-11-2026

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$747

$332

$291

$204

$177

Envase tipo carrete

$177

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Mult.: 1
Máx.: 1.930

: 3.000

2.1 V Semiconductores

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