TO-247-4 Semiconductores

Resultados: 446
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
onsemi IGBTs 1200V/40A FS7 IGBT NSCR TO247
Hoja de datos
422En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
Hoja de datos
857En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
Hoja de datos
1.595En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S
Hoja de datos
1.117En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
Hoja de datos
555En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10

Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
168En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_SICMOS
Hoja de datos
182En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
Hoja de datos
690En existencias
240Se espera el 15-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Hoja de datos
144En existencias
480Se espera el 27-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
Hoja de datos
483En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Hoja de datos
1.031En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 70

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
Hoja de datos
754En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Hoja de datos
894En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Hoja de datos
408En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075005K4S
Hoja de datos
331En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Hoja de datos
604En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 45

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Hoja de datos
396En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10

APC-E MOSFETs de SiC 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
Hoja de datos
290En existencias
Min.: 1
Mult.: 1



Coherent MOSFETs de SiC 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101
Hoja de datos
139En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
1.780En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Hoja de datos
1.062En existencias
720Se espera el 06-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Hoja de datos
1.167En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Hoja de datos
7.153En existencias
10.320En pedido
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
Hoja de datos
689En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30