TO-247-4 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
onsemi IGBTs FS7 1200V 60A SCR IGBT TO247 4L IGBT STAND-ALONE (LOW COST)
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onsemi IGBTs FS7 1200V 60A SCR IGBT TO247 4L COPACK (LOW COST)
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435En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC
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714En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
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61En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
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150En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC
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215En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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529En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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437En existencias
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Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
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59En existencias
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Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
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105En existencias
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Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
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120En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4
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93En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
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181En existencias
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Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
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25En existencias
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Infineon Technologies IGBTs High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
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180En existencias
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Infineon Technologies IGBTs High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
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165En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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139En existencias
240Se espera el 11-06-2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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240En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
240En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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240En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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218En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
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136En existencias
240Se espera el 02-07-2026
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
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162En existencias
470En pedido
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onsemi IGBTs 1200V/40A FS7 IGBT NSCR TO247
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424En existencias
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Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
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1.019En existencias
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