TO-247-4 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
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666En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
674En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
Hoja de datos
125En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
Hoja de datos
247En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
308En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
581En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 650V/7MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
449En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
466En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
390En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
Hoja de datos
226En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 1200V/53MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
759En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Hoja de datos
535En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
709En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Hoja de datos
554En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
Hoja de datos
330En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 1200V/23MOSICFETG4TO24
Hoja de datos
728En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
369En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Hoja de datos
1.055En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.196En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Hoja de datos
334En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi IGBTs 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT AND FAST FRD
Hoja de datos
384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
Hoja de datos
432En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
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679En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC
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704En existencias
Min.: 1
Mult.: 1