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Resultados: 566
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices 50En existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices 100En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
40En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

Analog Devices Amplificador de RF Driver amp, 18-40GHz
4En existencias
Min.: 2
Mult.: 2

Analog Devices HMC-ALH476-SX
Analog Devices Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 14-27 GHz 8En existencias
Min.: 2
Mult.: 2

Analog Devices HMC7441-SX
Analog Devices Amplificador de RF 2W Ka Band VSAT PA
4En existencias
Min.: 2
Mult.: 2

Analog Devices HMC-ALH140-SX
Analog Devices Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 27-40 GHz
2En existencias
Min.: 2
Mult.: 2

Qorvo CMD242
Qorvo Amplificador de RF DC-40 GHz Distributed Amplifier DIE
5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

CML Micro MWT-PH27F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
Micron Memoria flash tipo NAND SLC 4G 4GX1 TBGA 380En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 2.000

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 1.901En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Analog Devices HMC553AG-SX
Analog Devices Mezclador de RF 6 GHz to 14 GHz, GaAs, MMIC, Double-Balanced Mixer 4En existencias
Min.: 2
Mult.: 2

Analog Devices HMC-ALH444-SX
Analog Devices Amplificador de RF GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 1 - 12 GHz 4En existencias
Min.: 2
Mult.: 2

Qorvo TGL4201-06
Qorvo Atenuadores DC-50 GHz Fixed Attenuator-6dB 200En existencias
Min.: 200
Mult.: 200

Qorvo TGL4201-10
Qorvo Atenuadores DC-50 GHz Fixed Atten-10dB 200En existencias
Min.: 200
Mult.: 200

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt 10En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

MACOM MA4SW410
MACOM Circuitos integrados de interruptores de RF 50MHz-26GHz IL .9dB @20GHz 200En existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Qorvo Amplificador de RF 20W, 17.3-21.2 GHz PA-die
5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

EPC Controladores de puertas EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage 2.061En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Vishay / BC Components Termistores de coeficiente de temperatura negativo (NTC) NTC BARE DIE AG2 10K 1% TAPE E4 6.000En existencias
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Texas Instruments OPA855YR
Texas Instruments Amplificadores operacionales - Op Amps 8 GHz Gain Bandwidth Product Decompensa 2.975En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 3.000

Texas Instruments OPA858YR
Texas Instruments Amplificadores operacionales - Op Amps 5.5 GHz Gain Bandwid th Product Decompen 2.756En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
: 3.000

Texas Instruments OPA859YR
Texas Instruments Amplificadores operacionales - Op Amps 1.8 GHz Unity-Gain B andwidth 3.3 nV/vHz 2.999En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 3.000

Qorvo Amplificador de RF 6-18GHz 0.5W driver Amp 100En existencias
Min.: 100
Mult.: 100