TGA2830 & TGA2975 GaN Power Amplifiers

Qorvo TGA2830 & TGA2975 GaN Power Amplifiers operate from 2.7GHz to 3.5GHz and are designed using Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25). The TGA2830 and TGA2975 can operate under both pulse and CW conditions and are ideally suited for commercial and defense related radar applications. Both RF ports on these devices have integrated DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. 

Resultados: 4
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Frecuencia de trabajo
Voltaje de alimentación operativo
Corriente de suministro operativa
Ganancia
Tipo
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tecnología
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Qorvo Amplificador de RF 2.7-3.5GHz 12W GaN PAE > 52% Gain 31dB
Hoja de datos
358En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

2.7 GHz to 3.5 GHz 20 V to 32 V 175 mA 31 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-24 GaN - 40 C + 85 C TGA2975 Waffle
Qorvo Amplificador de RF 2.7-3.5GHz 18W GaN PAE >54% Gain 30.5dB
Hoja de datos
22En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

2.7 GHz to 3.5 GHz 20 V to 32 V 225 mA 30.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-24 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2830 Waffle
Qorvo Amplificador de RF 2.7-3.5 GHz, 18 W GaN PA
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500
2.7 GHz to 3.5 GHz 30.5 dB SMD/SMT QFN-24 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2830 Reel
Qorvo TGA2975-SMTR7
Qorvo Amplificador de RF 2.7-3.5 GHz, 12 W GaN PA
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

TGA2975 Reel