MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1

Los MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1 de Onsemi son módulos de potencia que incluyen un puente completo y un termistor en un paquete F1. Estos MOSFET cuentan con termistores y pines a presión. Los módulos NXH0x0F120MNF1 ofrecen material de interfaz térmica (TIM) preaplicado y sin opciones TIM preaplicadas. Estos módulos se utilizan preferentemente en inversores solares, fuentes de alimentación ininterrumpida, estaciones de carga de vehículos eléctricos y energía industrial. Los módulos NXH0x0F120MNF1 son libres de plomo y haluro, y cumplen con las normas RoHS. Estos módulos incluyen entre -40°C y 150°C en el rango de temperatura de almacenamiento y un rango de temperatura en funcionamiento de unión de -40°C a 175°C. 

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
onsemi NXH007F120M3F2PTHG
onsemi Módulos MOSFET 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
Hoja de datos
23En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 149 A - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 353 W NXH007F120M3F2PTHG Tray
onsemi NXH011F120M3F2PTHG
onsemi Módulos MOSFET 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
Hoja de datos
12En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 244 W NXH011F120M3F2PTHG Tray

onsemi Módulos MOSFET SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
Hoja de datos
28En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi Módulos MOSFET SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
Hoja de datos
28En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC NXH040F120MNF1 Tray

onsemi Módulos MOSFET SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET
Hoja de datos
28Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 28
Mult.: 28
SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi Módulos MOSFET SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET
Hoja de datos
28Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 28
Mult.: 28
SiC NXH040F120MNF1 Tray