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NVMFWS003N10MCT1G

Name: onsemi NVMFWS003N10MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS003N10MCT1G
Price: 5101 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-VMFWS003N10MCT1G

Fabricante N.º:

NVMFWS003N10MCT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V STD SO8FL HE

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFNW-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	169 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	62 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	194 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	150 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns
Serie:	NVMFWS003N10MC
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	46 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	28 ns

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PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NVMFWS003N10MC Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFWS003N10MC Single N-Channel Power MOSFETs offer a 169A continuous drain current, 3.1mΩ at 10V R_DS(ON), and 100V drain-to-source voltage. The NVMFWS002N10MCL is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.

PRODUCTOS DESTACADOS

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	$1.872	$2.808.000

NVMFWS003N10MCT1G

Fabricante: onsemi

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V STD SO8FL HE

Especificaciones

Documentos (3)

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PCN

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Cumplimiento de productos y comercio

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