SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor’s G3R™ Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer RDS(ON) levels from 12mΩ to 1000mΩ and robustness for efficiency and system reliability in automotive and industrial applications. These MOSFETs deliver a fast switching frequency, increased power density, reduced ringing (EMI), and a compact size. The G3R SiC MOSFETs are offered in optimized low-inductance discrete packages (SMD and through-hole). The modules are highly optimized for power system designs that require elevated efficiency levels at all operating temperatures and ultra-fast switching speeds with ultra-low losses. GeneSiC SiC MOSFETs provide faster switching and lower ON resistance than silicon-based products. Additional features include superior electric characteristics at high temperatures and significantly lower switching loss, allowing smaller peripheral components to be used.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
1.766En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 111 A 12 mOhms - 10 V, + 22 V 2.7 V 288 nC - 55 C + 175 C 567 W Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
898En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 17 A 160 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 138 W Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
26En existencias
150Se espera el 21-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 101 A 20 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 256 nC - 55 C + 175 C 569 W Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
600En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 30 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 118 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
506En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 40 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 88 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
303En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 48 A 45 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 106 nC - 55 C + 175 C 284 W Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
32En existencias
1.200Se espera el 19-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7 A 450 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 13 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V 450mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Hoja de datos
800Se espera el 19-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 8 A 630 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 13 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement