Resultados: 325
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -5.5A Si MOSFET 3.037En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSMT-8 P-Channel 1 Channel 30 V 5.5 A 24.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18.8 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET 1.698En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 10 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 26.5 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 200V 5A TO-252 (DPAK) 2.089En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 200 V 5 A 760 mOhms - 30 V, 30 V 5.25 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 18.0A(Id), (2.5V Drive) 2.950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18 A 3.5 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 39 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -3A Small Signal MOSFET 4.952En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-457-6 P-Channel 1 Channel 30 V 3 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 2.153En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Switch 592En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Fast Switch 492En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 100 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET 459En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 200 V 70 A 42.7 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 125 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 200V 7.5A TO-252 (DPAK) 2.389En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 200 V 7.5 A 325 mOhms - 30 V, 30 V 5.25 V 15 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 11.0A(Id), (2.5V Drive) 4.772En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 11.7 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 13.5 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 3.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 39 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 72 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -12V(Vdss), -5.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive) 1.455En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-457-6 P-Channel 1 Channel 12 V 5 A 26 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 35 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET 773En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET 961En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET 407En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 85 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Low Noise 594En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 260 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -10.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) 2.094En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 30 V 31 A 11.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 17 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 4.746En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 12 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 2.475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 72 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 20A Si MOSFET 620En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 5.284En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 30 V 3.5 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4V Drive Nch MOSFET 1.728En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 55 A 16.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 143 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252 2.394En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 1.43 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 60A HSOP8 1.241En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel, Cut Tape