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NXH020U90MNF2PTG

Name: onsemi NXH020U90MNF2PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH020U90MNF2PTG
Price: 197572 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NXH020U90MNF2PTG

Fabricante N.º:

NXH020U90MNF2PTG

Fabricante:

onsemi

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	$197.572	$197.572
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	900 V
Id - Corriente de drenaje continua:	149 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	14 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 18 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	352 W
Serie:	NXH020U90MNF2
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual Common Source
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	KR
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	12.8 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	19.8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	20
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EliteSiC
Tipo:	SiC MOSFET Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	110 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	43.2 ns
Vf - Tensión directa:	2.3 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV