Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs offers a comprehensive portfolio of P-channel automotive power MOSFETs with the technology of OptiMOS-P2 and Gen5. The Automotive MOSFETs are AEC qualified and supports a 175°C operating temperature. The Infineon OptiMOS-P2 Automotive MOSFETs are available in DPAK, D2PAK, TO220, TO262, and SO8 packages.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 15

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P03P4L11ATMA2
Infineon Technologies
1: $1.788
3.840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P03P4L11ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50P03P4L11ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

3.840En existencias

Cinta cortada

$1.788

$1.033

$730

$595

Envase tipo carrete

$480

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3-11

P-Channel

1 Channel

30 V

50 A

13 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P03P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: $3.071
16.113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P03P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P03P4L04AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

16.113En existencias

Cinta cortada

$3.071

$1.988

$1.367

$1.104

$1.035

Envase tipo carrete

$967

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

90 A

4.1 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

137 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB120P04P404ATMA2
Infineon Technologies
1: $4.133
4.916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120P04P404ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120P04P404ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

4.916En existencias

Cinta cortada

$4.133

$2.703

$1.893

$1.557

Envase tipo carrete

$1.451

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.9 mOhms

- 16 V, 5 V

3 V

158 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB120P04P4L03ATMA2
Infineon Technologies
1: $4.123
2.993En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120P04P4L03ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120P04P4L03A2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

2.993En existencias

Cinta cortada

$4.123

$2.703

$1.893

$1.557

Envase tipo carrete

$1.451

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

4 mOhms

- 16 V, 5 V

3 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB180P04P403ATMA2
Infineon Technologies
1: $4.585
3.655En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180P04P403ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180P04P403ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

3.655En existencias

Cinta cortada

$4.585

$3.018

$2.124

$1.798

Envase tipo carrete

$1.672

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

P-Channel

1 Channel

40 V

180 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB180P04P4L02ATMA2
Infineon Technologies
1: $4.648
1.556En existencias
2.000Se espera el 24-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB180P04P4L02ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180P04P4L02A2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

1.556En existencias

2.000Se espera el 24-08-2026

Cinta cortada

$4.648

$3.060

$2.156

$1.830

Envase tipo carrete

$1.704

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

P-Channel

1 Channel

40 V

180 A

2.6 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P04P413ATMA2
Infineon Technologies
1: $1.830
3.539En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P04P413ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50P04P413ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

3.539En existencias

Cinta cortada

$1.830

$1.167

$774

$609

Envase tipo carrete

$496

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3-11

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD50P04P4L11ATMA2
Infineon Technologies
1: $1.904
20.227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50P04P4L11ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50P04P4L11AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

20.227En existencias

Cinta cortada

$1.904

$1.209

$809

$637

Envase tipo carrete

$523

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

TC252-3-313

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

12.3 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD80P03P4L07ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.177
13.213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80P03P4L07ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80P03P4L07AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

13.213En existencias

Cinta cortada

$2.177

$1.262

$874

$716

Envase tipo carrete

$607

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

80 A

8.7 mOhms

- 16 V, 5 V

1.5 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P03P404ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.871
2.141En existencias
2.500Se espera el 31-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P03P404ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P03P404ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

2.141En existencias

2.500Se espera el 31-08-2026

Cinta cortada

$2.871

$1.893

$1.315

$1.104

$1.035

Envase tipo carrete

$980

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

30 V

90 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

137 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.797
6.454En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P405ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

6.454En existencias

Cinta cortada

$2.797

$1.840

$1.294

$1.062

$985

Envase tipo carrete

$941

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

118 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80P04P405ATMA2
Infineon Technologies
1: $3.565
1.749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80P04P405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80P04P405ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

1.749En existencias

Cinta cortada

$3.565

$2.324

$1.609

$1.304

Envase tipo carrete

$1.199

$1.188

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-3-2

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD70P04P409ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.103
2.614En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70P04P409ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70P04P409ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

2.614En existencias

Cinta cortada

$2.103

$1.346

$900

$713

Envase tipo carrete

$587

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

73 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD70P04P4L08ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.145
23En existencias
7.500Se espera el 31-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD70P04P4L08ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70P04P4L08ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

23En existencias

7.500Se espera el 31-08-2026

Cinta cortada

$2.145

$1.367

$920

$730

Envase tipo carrete

$601

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

70 A

9.5 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD90P04P4L04ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.892
1.034En existencias
7.500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD90P04P4L04ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P04P4L04AT2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

1.034En existencias

7.500En pedido

Cinta cortada

$2.892

$1.904

$1.336

$1.094

$1.023

Envase tipo carrete

$993

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 16 V, 5 V

1.7 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte