ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

Resultados: 77
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.
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342En existencias
8.000Se espera el 17-08-2026
Min.: 1
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Máx.: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 37.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 65.2 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
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1.336En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 1.600
: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
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378En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 64 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
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887En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 35.8 A 31.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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223En existencias
60.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 27.8 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.1mOhm@10V 58.8A N-CH
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1.618En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 58.8 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 56 nC - 55 C + 150 C 56.8 W Enhancement ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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27En existencias
12.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 200 V 35.4 A 23.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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300En existencias
21.000En pedido
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 200 V 14.2 A 76 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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157En existencias
30.084En pedido
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Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 72 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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2.344En existencias
27.000En pedido
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Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs TO-247
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5En existencias
1.000Se espera el 03-01-2028
Min.: 1
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Máx.: 1.000

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 165 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263
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583En existencias
2.400En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 35.1 A 31.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220
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519En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
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155En existencias
15.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 96 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V(D-S)
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124En existencias
36.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 84 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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80.543En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 1 Channel 150 V 7.7 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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35.990En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 250 V 24.2 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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110.470En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 100 V 23 A 47 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 50 C + 150 C 57 W Enhancement ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23
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Comentarios de Producto
63.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.1 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI40
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15.000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 11.1 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
13.715En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 18.4 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
5.495Se espera el 14-01-2028
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 200 V 34.4 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 31.9 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
9.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 66 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Hoja de datos
11.750Se espera el 12-11-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 117 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
Hoja de datos
6.000Se espera el 05-07-2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 12 V, 20 V 4.5 A 23 mOhms, 44 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 16 nC, 25 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel