ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

Resultados: 80
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 150V 42A N-CH MOSFET
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19.826En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 44.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 65.2 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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18.287En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 200 V 18.6 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 30 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT233 100V 3.1A N-CH MOSFET
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16.044En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.1 A 126 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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7.692En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 49 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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27.195En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 200 V 14.1 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18.2 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-252
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18.954En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 35.8 A 31.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 21 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-220
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3.007En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 63 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 88 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220
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1.290En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 13.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 96 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-263
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1.770En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 35.1 A 31.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8
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25.981En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 19.7 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 69 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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33.820En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 27.8 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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37.521En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 100 V 28 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 19.5 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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11.967En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 50.8 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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41.375En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 40 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23
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30.189En existencias
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.1 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8
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5.800En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 18.4 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8
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9.815En existencias
5.000Se espera el 09-04-2026
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 150 V 5.5 A 133 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 4.4 nC - 55 C + 150 C 5 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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6.717En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 29 A 28.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 69.5 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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6.188En existencias
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Carrete: 3.000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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3.005En existencias
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 19.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V
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8.292En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 14.2 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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13.697En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 P-Channel 1 Channel 100 V 23 A 47 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 50 C + 150 C 57 W Enhancement ThunderFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs TO-247
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1.912En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 165 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds ThunderFET 100A Id +/-20V Vgs
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754En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 100 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 129 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
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1.752En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 63.5 A 24.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 88 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube