GaN FETs – Mouser Chile

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Resultados: 8

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm

IGC025S08S1XTMA1
Infineon Technologies
1: $4.703
9.101En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC025S08S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC025S08S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm

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Hoja de datos

9.101En existencias

Cinta cortada

$4.703

$2.975

$2.188

$1.871

$1.810

Envase tipo carrete

$1.523

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

1 Channel

80 V

86 A

2.5 mOhms

6.5 V

2.9 V

12 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs MV GAN DISCRETES

IGC033S10S1XTMA1
Infineon Technologies
1: $4.652
9.960En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC033S10S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC033S10S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs MV GAN DISCRETES

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9.960En existencias

Cinta cortada

$4.652

$2.975

$2.188

$1.871

$1.810

Envase tipo carrete

$1.523

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

PG-TSON-6

HEMT

1 Channel

100 V

76 A

3.3 mOhms

- 4 V, + 5.5 V

2.9 V

11 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm

IGB070S10S1XTMA1
Infineon Technologies
1: $3.436
3.526En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGB070S10S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGB070S10S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm

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Hoja de datos

3.526En existencias

Cinta cortada

$3.436

$2.178

$1.554

$1.268

Ver

Envase tipo carrete

$1.003

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

1 Channel

100 V

38 A

7 mOhms

6.5 V

2.9 V

6.1 nC

- 40 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm

IGB110S10S1XTMA1
Infineon Technologies
1: $2.290
2.724En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGB110S10S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGB110S10S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm

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2.724En existencias

Cinta cortada

$2.290

$1.421

$1.012

$846

Envase tipo carrete

$666

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

1 Channel

100 V

23 A

11 mOhms

6.5 V

2.9 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm

IGC019S06S1XTMA1
Infineon Technologies
1: $4.703
3.024En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC019S06S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC019S06S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm

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Hoja de datos

3.024En existencias

Cinta cortada

$4.703

$2.975

$2.188

$1.871

$1.748

Envase tipo carrete

$1.523

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

1 Channel

60 V

99 A

1.9 mOhms

6.5 V

2.9 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs MV GAN DISCRETES

IGC033S101XTMA1
Infineon Technologies
1: $4.703
3.677En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC033S101XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC033S101XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs MV GAN DISCRETES

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Hoja de datos

3.677En existencias

Cinta cortada

$4.703

$3.037

$2.188

$1.871

$1.748

Envase tipo carrete

$1.523

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

PG-VSON-6

HEMT

1 Channel

100 V

76 A

3.3 mOhms

- 4 V, + 5.5 V

2.9 V

11 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm

IGC037S12S1XTMA1
Infineon Technologies
1: $4.652
3.270En existencias
10.000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC037S12S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC037S12S1XTMA1

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Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm

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$4.652

$3.006

$2.188

$1.871

$1.748

Envase tipo carrete

$1.523

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Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

1 Channel

120 V

71 A

3.7 mOhms

6.5 V

2.9 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs MV GAN DISCRETES

IGB110S101XTMA1
Infineon Technologies
1: $2.464
1.915En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGB110S101XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGB110S101XTMA1

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Infineon Technologies

GaN FETs MV GAN DISCRETES

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1.915En existencias

Cinta cortada

$2.464

$1.523

$1.063

$858

Envase tipo carrete

$666

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

PG-VSON-4

HEMT

1 Channel

100 V

23 A

- 4 V, + 5.5 V

2.9 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

15 W

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