Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ021N04LS6ATMA1
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1 Channel

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2.3 V

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+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

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Enhancement

OptiMOS

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WTFN-9

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1 Channel

40 V

166 A

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107 W

Enhancement

OptiMOS

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Enhancement

OptiMOS

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BSZ018N04LS6ATMA1
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40 A

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BSC022N04LS6ATMA1

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40 V

100 A

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- 55 C

+ 175 C

79 W

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OptiMOS

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BSC007N04LS6ATMA1
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726-BSC007N04LS6ATMA

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- 55 C

+ 175 C

188 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSZ063N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.902
173.566En pedido

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BSZ063N04LS6ATMA1

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726-BSZ063N04LS6ATMA

Infineon Technologies

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173.566En pedido

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$1.902

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$776

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40 V

40 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

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- 55 C

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BSZ024N04LS6ATMA1
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BSZ024N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ024N04LS6ATMA

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SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

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