MOSFETs de SiC – Mouser Chile

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650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

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Resultados: 10

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package SCT027H65G3AG STMicroelectronics 1: $15.506 472En existencias 1.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SCT027H65G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT027H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	472En existencias 1.000En pedido	Cinta cortada $15.506 $8.818 $8.795 Envase tipo carrete $8.317	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	60 A	39.3 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	48.6 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4 STMicroelectronics 1: $12.862 457En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT040W65G3-4 N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W65G3-4	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	457En existencias	$12.862 $7.029 $6.437	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4AG STMicroelectronics 1: $15.130 429En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT040W65G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	429En existencias	$15.130 $11.267 $9.399 $8.374 $7.815	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package SCT055TO65G3 STMicroelectronics 1: $11.450 1.394En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT055TO65G3 N.º de artículo de Mouser 511-SCT055TO65G3	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	1.394En existencias	Cinta cortada $11.450 $7.815 $6.448 $5.742 $5.377 Envase tipo carrete $5.377	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A SCT040H65G3AG STMicroelectronics 1: $14.993 537En existencias 1.000Se espera el 02-07-2027	N.º de artículo del Fabricante SCT040H65G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT040H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	537En existencias 1.000Se espera el 02-07-2027	Cinta cortada $14.993 $11.176 $9.308 $8.294 Envase tipo carrete $7.758 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	30 A	40 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	39.5 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3AG STMicroelectronics 1: $18.752 6En existencias 1.000Se espera el 03-09-2027	N.º de artículo del Fabricante SCT018H65G3AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT018H65G3AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	6En existencias 1.000Se espera el 03-09-2027	Cinta cortada $18.752 $11.245 Envase tipo carrete $10.504 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package SCT040TO65G3 STMicroelectronics 1: $12.783 8En existencias 1.800Se espera el 10-06-2027	N.º de artículo del Fabricante SCT040TO65G3 N.º de artículo de Mouser 511-SCT040TO65G3	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm 650 sic mosfets	Hoja de datos	8En existencias 1.800Se espera el 10-06-2027	Cinta cortada $12.783 $9.034 $7.519 $6.710 $6.266 Envase tipo carrete $6.266	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	35 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	42.5 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics 1: $21.282 600Se espera el 05-11-2027	N.º de artículo del Fabricante SCT018W65G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT018W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package	Hoja de datos	600Se espera el 05-11-2027	$21.282 $16.212 $13.512 $11.245	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	77 nC	- 55 C	+ 200 C	398 W	Enhancement	AEC-Q101
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055W65G3-4AG STMicroelectronics 1: $13.375 600Se espera el 04-06-2027	N.º de artículo del Fabricante SCT055W65G3-4AG N.º de artículo de Mouser 511-SCT055W65G3-4AG	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets	Hoja de datos	600Se espera el 04-06-2027	$13.375 $9.672 $8.066 $7.189	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	32 nC	- 55 C	+ 200 C	210 W	Enhancement	AEC-Q100
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3-7 STMicroelectronics 1: $17.955 Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SCT018H65G3-7 N.º de artículo de Mouser 511-SCT018H65G3-7 Nuevo producto	STMicroelectronics	MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm automotive grade mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas	Cinta cortada $17.955 $10.641 Envase tipo carrete $10.071	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 10 V, 22 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement

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