MOSFETs de SiC – Mouser Chile

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650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: $12.678
969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

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Cinta cortada

$12.678

$8.792

$7.426

Envase tipo carrete

$6.059

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
1: $25.301
47En existencias
600Se espera el 20-04-2026

N.º de artículo del Fabricante
SCTW90N65G2V

N.º de artículo de Mouser
511-SCTW90N65G2V

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

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47En existencias

600Se espera el 20-04-2026

$25.301

$22.646

$19.533

$19.522

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 10 V, + 22 V

1.9 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

390 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: $14.134
1.082En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT027H65G3AG

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511-SCT027H65G3AG

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STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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1.082En existencias

Cinta cortada

$14.134

$9.946

$8.646

Envase tipo carrete

$7.325

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: $12.141
547En existencias
Nuevo producto

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SCT040W65G3-4

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511-SCT040W65G3-4

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STMicroelectronics

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547En existencias

$12.141

$7.258

$6.899

$5.746

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: $14.022
641En existencias
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SCT040W65G3-4AG

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511-SCT040W65G3-4AG

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641En existencias

$14.022

$11.413

$9.509

$8.478

$7.190

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: $9.520
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SCT055TO65G3

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511-SCT055TO65G3

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MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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Cinta cortada

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$6.933

$5.779

$5.141

$4.581

Envase tipo carrete

$4.570

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: $10.752
37En existencias
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SCT040TO65G3

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511-SCT040TO65G3

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37En existencias

Cinta cortada

$10.752

$7.560

$6.003

Envase tipo carrete

$4.894

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: $17.338
202En existencias

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SCT018H65G3AG

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511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

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202En existencias

Cinta cortada

$17.338

$12.242

$11.155

Envase tipo carrete

$9.106

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

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SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: $17.797
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SCT018W65G3-4AG

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$13.776

$13.328

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HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

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SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: $14.022
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SCT055W65G3-4AG

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511-SCT055W65G3-4AG

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$11.413

$9.509

$6.922

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650 V

30 A

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4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1.000: $11.032
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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N.º de artículo del Fabricante
SCT018H65G3-7

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018H65G3-7

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Mult.: 1.000

Carrete: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

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