MOSFETs de SiC – Mouser Chile

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650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: $11.574
880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

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Hoja de datos

880En existencias

Cinta cortada

$11.574

$7.740

$6.769

$6.759

Envase tipo carrete

$6.329

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
1: $23.435
45En existencias
600Se espera el 03-06-2026

N.º de artículo del Fabricante
SCTW90N65G2V

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511-SCTW90N65G2V

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

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45En existencias

600Se espera el 03-06-2026

$23.435

$21.789

$20.685

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 10 V, + 22 V

1.9 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

390 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: $12.985
968En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT027H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT027H65G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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968En existencias

Cinta cortada

$12.985

$9.080

$7.893

Envase tipo carrete

$7.372

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: $8.722
1.764En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT055TO65G3

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055TO65G3

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STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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1.764En existencias

Cinta cortada

$8.722

$5.981

$5.276

$4.795

$4.386

Envase tipo carrete

$4.386

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: $9.806
37En existencias
1.800Se espera el 15-06-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT040TO65G3

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040TO65G3

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

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37En existencias

1.800Se espera el 15-06-2026

Cinta cortada

$9.806

$7.382

$5.480

$5.460

$5.276

Envase tipo carrete

$5.112

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: $15.828
169En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT018H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Hoja de datos

169En existencias

Cinta cortada

$15.828

$11.176

$10.756

$10.184

Envase tipo carrete

$9.509

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: $18.261
527En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT018W65G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

527En existencias

$18.261

$13.527

$9.611

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: $11.073
537En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT040W65G3-4

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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537En existencias

$11.073

$6.626

$6.298

$6.002

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: $12.822
635En existencias

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SCT040W65G3-4AG

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511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

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635En existencias

$12.822

$9.284

$7.597

$7.587

$7.229

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: $15.143
30En existencias
600En pedido

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SCT055W65G3-4AG

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511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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30En existencias

600En pedido

$15.143

$12.055

$10.940

$7.219

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1.000: $9.039
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT018H65G3-7

N.º de artículo de Mouser
511-SCT018H65G3-7

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STMicroelectronics

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Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

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$9.039

Min.: 1.000
Mult.: 1.000

: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

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