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SCT4062KWAHRTL

Name: ROHM Semiconductor SCT4062KWAHRTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4062KWAHRTL
Price: 12712 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-SCT4062KWAHRTL

Fabricante N.º:

SCT4062KWAHRTL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 24A N-CH SIC

Hoja de datos:

SCT4062KWAHRTL Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$12.712	$12.712
	$9.016	$90.160
	$7.661	$766.100
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$6.496	$6.496.000
	$6.283	$12.566.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7LA
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	24 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	81 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	64 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	93 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	6.5 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	11 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.4 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SCT4062KWAHR AEC-Q101 N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4062KWAHR AEC-Q101 N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET is a high-performance, automotive-grade device for use in demanding automotive environments. The ROHM SCT4062KWAHR features a high drain-source voltage rating of 1200V and a continuous drain current of 24A (at +25°C), making the MOSFET well-suited for high-voltage, high-efficiency power conversion systems. With a typical on-resistance of 62mΩ, the SCT4062KWAHR minimizes conduction losses and supports fast switching, which contributes to reduced power loss and improved thermal performance. Packaged in a TO-263-7LA format, the device offers excellent heat dissipation and ease of integration into compact power modules. SCT4062KWAHR is ideal for electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers, and DC-DC converters, where reliability, efficiency, and thermal stability are critical.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.