NVMFWS004N10MCT1G

onsemi
863-VMFWS004N10MCT1G
NVMFWS004N10MCT1G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V STD SO8FL

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
100 V
138 A
3.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
48 nC
- 55 C
+ 175 C
164 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 120 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 18 ns
Serie: NVMFWS004N10MC
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 39 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 25 ns
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Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
República de Corea
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NVMFWS004N10MC Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFWS004N10MC Single N-Channel Power MOSFETs provide a 138A continuous drain current, 3.9mΩ at 10V RDS(ON), and 100V drain-to-source voltage. The NVMFWS004N10MC is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.

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Se espera el 31-07-2026
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Se espera el 07-09-2026
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