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NVMFWS004N10MCT1G

Name: onsemi NVMFWS004N10MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS004N10MCT1G
Price: 3515 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-VMFWS004N10MCT1G

Fabricante N.º:

NVMFWS004N10MCT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V STD SO8FL

Hoja de datos:

NVMFWS004N10MCT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$3.515	$3.515
	$2.304	$23.040
	$1.615	$161.500
	$1.408	$704.000
	$1.310	$1.310.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$1.310	$1.965.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	138 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	48 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	164 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	120 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Serie:	NVMFWS004N10MC
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	39 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMFWS004N10MC Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFWS004N10MC Single N-Channel Power MOSFETs provide a 138A continuous drain current, 3.9mΩ at 10V R_DS(ON), and 100V drain-to-source voltage. The NVMFWS004N10MC is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.