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TP65H070G4PS

Name: Renesas Electronics TP65H070G4PS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4PS
Price: 8210 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

227-TP65H070G4PS

Fabricante N.º:

TP65H070G4PS

Fabricante:

Renesas Electronics

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	$3.436	$1.718.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$3.221	$3.221.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	29 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	85 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.7 V
Qg - Carga de puerta:	9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	96 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	7.2 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	6.2 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo de retardo de apagado típico:	56 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	43.4 ns