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SI02C120SMA

Name: Diotec Semiconductor SI02C120SMA
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-SI02C120SMA
Price: 989 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

637-SI02C120SMA

Fabricante N.º:

SI02C120SMA

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SMA, 1200V, 2A, 175C

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$989	$989
	$773	$7.730
	$464	$46.400
	$459	$229.500
	$445	$445.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$392	$1.176.000
	$369	$2.214.000
	$319	$2.871.000
	$312	$7.488.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DO-214AC-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	2 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.4 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	26 A
Ir - Corriente inversa:	1 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diotec Semiconductor
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers

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Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode offers a repetitive peak reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A. This diode features a low capacitive charge, extremely fast switching, forward voltage of approximately 1.4V. The SI02C120SMA Schottky diode exhibits very low leakage current up to 2μA and low junction capacitance up to 112pF. This diode is housed in a compact DO‑214AC (SMA) surface-mount package. The SI02C120SMA Schottky diode operates over a wide junction temperature range from -55°C to +175°C, making it reliable in harsh environmental conditions and demanding power applications. Typical applications include rectification of high frequencies, high-efficient switching stages, power factor correction diodes, free-wheeling diodes for inverters, and commercial/industrial grade.